ZXMN10A11KTC

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TO-252-3
数量：: 2268
说明：: MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

一、本商品被浏览0次.

ZXMN10A11KTC PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：7.4 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：1.7 ns
功率耗散：8.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.35 Ohms
漏极连续电流：3.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMN10A11KTC的详细信息，包括ZXMN10A11KTC厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：