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ZXMN10A08DN8TA

厂家：
  Diodes Inc. / Zetex
封装：
 8-SO
数量：
 2079  
说明：
 MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
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ZXMN10A08DN8TA-8-SO图片

ZXMN10A08DN8TA PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：8 ns
工厂包装数量：500
上升时间：2.2 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2.2 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：250 mOhms
漏极连续电流：2.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMN10A08DN8TA的详细信息，包括ZXMN10A08DN8TA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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