XPH2R106NC,L1XHQ

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: 8-SOP Advance（5x5）
数量：: 4158
说明：: MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP

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中文参数如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：960mW（Ta），170W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6900 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：104 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1mOhm @ 55A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Ta）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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