首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 晶体管 > WG50N65DHJQ

WG50N65DHJQ

厂家：: WeEn Semiconductors
封装：: TO-247-3
数量：: 7101
说明：: WG50N65DHJ/SOT1293/STANDARD MARK

一、本商品被浏览0次.

WG50N65DHJQ PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：105 ns
测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：66ns/163ns
栅极电荷：160 nC
输入类型：标准
开关能量：1.7mJ（开），600μJ（关）
功率 - 最大值：278 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：91 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：WeEn Semiconductors

以上是WG50N65DHJQ的详细信息，包括WG50N65DHJQ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：