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TPV8100B

厂家：: Advanced Semiconductor, Inc.
封装：: Case 398-03
数量：: 1484
说明：: 射频双极电源晶体管 RF Transistor

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TPV8100B PDF参数资料

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中文参数如下：

晶体管极性：NPN
安装风格：Screw
最小工作温度：- 65 C
最大工作温度：+ 200 C
包装形式：Tray
封装形式：Case 398-03
功率耗散：215 W
集电极连续电流：12 A
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
最大工作频率：860 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min：30
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

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