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中文参数如下:
上升时间:25 ns
功率耗散:3 W
栅极电荷 Qg:60 nC
下降时间:50 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerFLAT 8x8
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.16 Ohms
漏极连续电流:19 A
闸/源击穿电压:25 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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