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中文参数如下:
上升时间:11 ns
功率耗散:80 W
栅极电荷 Qg:49.4 nC
下降时间:20 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerFLAT 5x6
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0355 Ohms
漏极连续电流:33 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:150 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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