STB21N65M5

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 5967  
说明:
 MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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STB21N65M5 PDF参数资料

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中文参数如下:

上升时间:10 ns
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:50 nC
下降时间:12 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.19 Ohm
漏极连续电流:17 A
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB21N65M5的详细信息,包括STB21N65M5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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