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STB21NM60N

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 D2PAK
数量：
 5904  
说明：
 MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh
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STB21NM60N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：84 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：15 ns
功率耗散：140 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：12 S
下降时间：31 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohms
漏极连续电流：17 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB21NM60N的详细信息，包括STB21NM60N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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