SPN03N60S5

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT223-4
数量：: 5967
说明：: MOSFET

一、本商品被浏览0次.

SPN03N60S5 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：120 ns
上升时间：20 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1400 mOhms
漏极连续电流：0.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是SPN03N60S5的详细信息，包括SPN03N60S5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：