SIHB11N80E-GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 8190
说明：: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

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中文参数如下：
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装/外壳：D2PAK（TO-263）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：179W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：1670 pF @ 100 V
电压 - 输出（最大值）：±30V
电压 - 输出（最小值/固定）：88 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：4V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：440 毫欧 @ 5.5A，10V
输出数：10V
输出类型：12A（Tc）
拓扑：800 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：E
系列：管件
品牌：Vishay Siliconix

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