SIA436DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6
数量：: 2934
说明：: MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V

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SIA436DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA436DJ-GE3
功率耗散：19 W
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6L
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.036 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：5 V
汲极/源极击穿电压：8 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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