SI7120ADN-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 9142
说明：: MOSFET N-CH 60V 1212-8 PPAK

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SI7120ADN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫欧 @ 9.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.5W
安装类型：表面贴装

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