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SI6562DQ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-TSSOP
数量：: 5796
说明：: MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V

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SI6562DQ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI6562DQ-GE3
典型关闭延迟时间：50 ns at N Channel, 57 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：40 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：40 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms, 50 mOhms
漏极连续电流：4.5 A, 3.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6562DQ-T1-GE3的详细信息，包括SI6562DQ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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