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SI6803DQ-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TSSOP-8
数量：
 8856  
说明：
 MOSFET 20V 2.5/2.3A
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SI6803DQ-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 nS, 22 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：34 nS, 32 nS
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：34 nS, 32 nS
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Common Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：95 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏极连续电流：+/- 2.5 A, +/- 2.3 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI6803DQ-T1的详细信息，包括SI6803DQ-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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