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SI6473DQ-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
数量：
 6786  
说明：
 MOSFET 20V 9.5A 1.75W 12.5mohm @ 4.5V
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SI6473DQ-T1-GE3-8-TSSOP（0.173

SI6473DQ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI6473DQ-GE3
典型关闭延迟时间：220 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：1.75 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12.5 mOhms
漏极连续电流：9.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6473DQ-T1-GE3的详细信息，包括SI6473DQ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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