点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:16 nS, 17 nS
工厂包装数量:3000
上升时间:11 nS, 12 nS
功率耗散:1 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:7 nC, 7 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5 S, 3 S
下降时间:6 nS, 6 nS
包装形式:Reel
封装形式:TSSOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms at 10 V, 0.17 Ohms at - 10 V
漏极连续电流:+/- 2.5 A, +/- 1.9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay
以上是SI6542DQ-T1的详细信息,包括SI6542DQ-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!