SI3493DV-T1

厂家：: Vishay
封装：: TSOP-6
数量：: 2169
说明：: MOSFET 20V 7.0A 1.1W

一、本商品被浏览0次.

SI3493DV-T1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：125 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：40 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：40 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.027 Ohms
漏极连续电流：5.3 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3493DV-T1的详细信息，包括SI3493DV-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：