SI3529DV-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-TSOP
数量：: 3546
说明：: MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W

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SI3529DV-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3529DV-E3
典型关闭延迟时间：8 ns, 5 ns at N Channel, 10 ns, 20 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：12.5 ns, 65 ns at N Channel, 12.5 ns, 38 ns at P Channel
功率耗散：1.15 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12.5 ns, 65 ns at N Channel, 12.5 ns, 38 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.125 Ohms, 0.215 Ohms
漏极连续电流：2.25 A, 1.76 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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