中文参数如下:
工厂包装数量:25
安装风格:Through Hole
包装形式:Tube
封装形式:TO-264
功率耗散:180 W
栅极—射极漏泄电流:+/- 500 nA
在25 C的连续集电极电流:60 A
集电极—射极饱和电压:1.4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:900 V
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor
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