SE30DT12-M3/I

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 SMPD
数量:
 7146  
说明:
 DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
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SE30DT12-M3/I PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:SMPD
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:132pF @ 4V, 1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 μA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr):3.4 μs
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.29 V @ 30 A
电流 - 平均整流 (Io):30A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:eSMP?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SE30DT12-M3/I的详细信息,包括SE30DT12-M3/I厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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