SE30PAJHM3/I

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 DO-221BC(SMPA)
数量:
 6804  
说明:
 DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
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SE30PAJHM3/I PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:DO-221BC(SMPA)
封装/外壳:DO-221BC,SMA 扁平引线裸露焊盘
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:13pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr):1.3 μs
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.16 V @ 3 A
电流 - 平均整流 (Io):3A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101, eSMP?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SE30PAJHM3/I的详细信息,包括SE30PAJHM3/I厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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