SD56120C

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 M246
数量:
 5877  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RF Power LDMOS Transistor
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SD56120C PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:217 W
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Bulk
封装形式:M246
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:14 A
汲极/源极击穿电压:72 V
输出功率:100 W
增益:14 dB at 860 MHz
频率:1 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:STMicroelectronics

以上是SD56120C的详细信息,包括SD56120C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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