点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:217 W
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Bulk
封装形式:M246
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:14 A
汲极/源极击穿电压:72 V
输出功率:100 W
增益:14 dB at 860 MHz
频率:1 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:STMicroelectronics
以上是SD56120C的详细信息,包括SD56120C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!