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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:390 ns
上升时间:75 ns
功率耗散:1250 mW
下降时间:75 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSMT-6
安装风格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):35 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:+/- 10 V
汲极/源极击穿电压:12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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