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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:380 ns
功率耗散:1 W
栅极电荷 Qg:30 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6.5 S
包装形式:Reel
封装形式:TSMT3
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):22 mOhms
漏极连续电流:- 4 A
闸/源击穿电压:10 V
汲极/源极击穿电压:- 12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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