PHD45N03LTA,118

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 DPAK
数量:
 4527  
说明:
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PHD45N03LTA,118 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:65000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel - 13 in
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):21 mOhms
漏极连续电流:40 A
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:NXP

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