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中文参数如下：
工厂包装数量：50
产品类型：RF MOSFET Power
功率耗散：95 W
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tube
封装形式：PowerSO-10RF (Straight Lead)
最大工作温度：+ 150 C
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：7 A
汲极/源极击穿电压：40 V
输出功率：35 W
增益：16.9 dB at 500 MHz
频率：1 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：否
产品种类：射频MOSFET电源晶体管
制造商：STMicroelectronics
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