NTMSD2P102R2

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 7911  
说明:
 MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
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中文参数如下:
FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点二极管(隔离式)
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.3A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 750pF @ 16V
功率 - 最大710mW
安装类型表面贴装

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