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NTMSD6N303R2

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 7965  
说明：
 MOSFET 30V 6A N-Channel
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NTMSD6N303R2-8-SOIC图片

NTMSD6N303R2 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns, 45 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：27 ns, 22 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：10 S
下降时间：34 ns, 45 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.024 Ohms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMSD6N303R2的详细信息，包括NTMSD6N303R2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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