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中文参数如下:
上升时间:7.4 ns
功率耗散:1.3 W
栅极电荷 Qg:15 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :23 S
下降时间:15.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):12 mOhms
漏极连续电流:11.6 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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