NTMS4P01R2

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 7830  
说明:
 MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
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中文参数如下:
FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 4.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)12V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.15V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1850pF @ 9.6V
功率 - 最大790mW
安装类型表面贴装

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