NGTD13T65F2WP

厂家：: onsemi
封装：: 模具
数量：: 8910
说明：: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

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NGTD13T65F2WP PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：模具
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：-
25°C 时 Td（开/关）值：-
栅极电荷：-
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：-
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

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