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NESG210719-A

厂家：
  CEL
封装：
 
数量：
 7209  
说明：
 射频硅锗晶体管 NPN Amp/Oscillator
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NESG210719-A PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
功率耗散：200 mW
集电极连续电流：100 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：1.5 V
RoHS：是
产品种类：射频硅锗晶体管
制造商：CEL

以上是NESG210719-A的详细信息，包括NESG210719-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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