首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NDP4060L_Q

NDP4060L_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220AB
数量：: 1872
说明：: MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

一、本商品被浏览0次.

NDP4060L_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：151 ns
功率耗散：50 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：61 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：15 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDP4060L_Q的详细信息，包括NDP4060L_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：