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MMBFJ212_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 2745
说明：: 射频JFET晶体管 NCh RF Transistor

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MMBFJ212_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：225 mW
漏极连续电流：40 mA
最大漏极/栅极电压：25 V
闸/源击穿电压：- 25 V
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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