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中文参数如下：
工厂包装数量：100
最小工作温度：- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200, 1000
集电极连续电流：30 A
包装形式：Tray
封装形式：TO-204-2 (TO-3)
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：200 W
最大直流电集电极电流：30 A
集电极—基极电压 VCBO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
产品种类：达林顿晶体管
制造商：ON Semiconductor
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