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中文参数如下：
工厂包装数量：80
直流集电极/Base Gain hfe Min：1000
包装形式：Sleeve
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
功率耗散：200 W
最大直流电集电极电流：30 A
集电极—基极电压 VCBO：90 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：90 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Central Semiconductor
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