LET16060C

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 M243
数量:
 1800  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 60W 13.8dB 1600
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
LET16060C-M243图片

LET16060C PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装:M243
封装/外壳:M243
安装类型:-
电压 - 额定:80 V
功率 - 输出:60W
电流 - 测试:400 mA
噪声系数:-
额定电流(安培):12A
电压 - 测试:28 V
增益:13.8dB
频率:1.6GHz
配置:-
技术:LDMOS
产品状态:停产
包装:-
系列:盒
品牌:STMicroelectronics

以上是LET16060C的详细信息,包括LET16060C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • LET20030C图片

    LET20030C

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans Ldmost Family

  • LET20045C图片

    LET20045C

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH

  • LET9045图片

    LET9045

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

  • LET9045C图片

    LET9045C

    射频MOSFET电源晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz

  • LET9045F图片

    LET9045F

    射频MOSFET电源晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz

  • LET9045S图片

    LET9045S

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

  • LET9060图片

    LET9060

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

  • LET9060C图片

    LET9060C

    射频MOSFET电源晶体管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz

  • LET9060F图片

    LET9060F

    射频MOSFET电源晶体管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz

  • LET9060S图片

    LET9060S

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

  • LET9060STR图片

    LET9060STR

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

  • LET9060TR图片

    LET9060TR

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC