IXTT110N10P

厂家：: Ixys
封装：: TO-268AA
数量：: 7830
说明：: MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds

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IXTT110N10P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：30
上升时间：25 ns
功率耗散：480 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-268
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.015 Ohms
漏极连续电流：110 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：IXYS

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