IXTP200N085T

厂家：: Ixys
封装：: TO-220-3
数量：: 8226
说明：: MOSFET MOSFET Id200 BVdass85

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IXTP200N085T PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：50
上升时间：80 ns
功率耗散：480 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：125 s
下降时间：64 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.005 Ohms
漏极连续电流：200 A
汲极/源极击穿电压：85 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：IXYS

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