IRFBF30STRL

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 D2PAK(TO-263)
数量:
 5976  
说明:
 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
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中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 欧姆 @ 2.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)900V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs78nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1200pF @ 25V
功率 - 最大125W
安装类型表面贴装

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