IRFBG20L

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: I2PAK
数量：: 5994
说明：: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C11 欧姆 @ 840mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 500pF @ 25V
功率 - 最大54W
安装类型通孔

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