IRF6711STR1PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: DIRECTFET? SQ
数量：: 4887
说明：: MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 13nC

一、本商品被浏览0次.

IRF6711STR1PBF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：1000
功率耗散：42 W
栅极电荷 Qg：13 nC
包装形式：Reel
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.5 mOhms
漏极连续电流：84 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6711STR1PBF的详细信息，包括IRF6711STR1PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：