IRF6712STR1PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 SQ
数量：: 3807
说明：: MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET

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IRF6712STR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
功率耗散：36 W
栅极电荷 Qg：13 nC
包装形式：Reel
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.7 mOhms
漏极连续电流：17 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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