IRF6613

厂家：: International Rectifier
封装：: Direct-FET MT
数量：: 3861
说明：: MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC

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IRF6613 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：27 ns
工厂包装数量：4800
上升时间：47 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：4.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MT
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.4 m Ohms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

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