IPP50CN10N G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220
数量:
 6390  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 20A
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IPP50CN10N G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPP50CN10NGHKSA1 IPP50CN10NGXKSA1 SP000096474
典型关闭延迟时间:14 ns
工厂包装数量:50
上升时间:4 ns
功率耗散:44 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:3 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.05 Ohms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPP50CN10N G的详细信息,包括IPP50CN10N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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