IPP50CN10NGXKSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO220-3
数量:
 4086  
说明:
 MOSFET
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IPP50CN10NGXKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPP50CN10NGHKSA1 SP000680930
上升时间:4 ns
功率耗散:44 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:12 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :21 S
下降时间:3 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):38 mOhms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPP50CN10NGXKSA1的详细信息,包括IPP50CN10NGXKSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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