首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPD034N06N3 G

IPD034N06N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 4348  
说明：
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPD034N06N3 G-TO-252图片

IPD034N06N3 G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GXT SP000451070
典型关闭延迟时间：63 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：167000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.4 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD034N06N3 G的详细信息，包括IPD034N06N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • MCU95N06KY-TP
  • IPD95R2K0P7ATMA1
  • NVMFS4C302NWFT1G
  • NTD5C688NLT4G
  • R5009ANX
  • NTTFS004N04CTAG
  • IPA65R650CEXKSA1
  • SIHD2N80E-GE3
  • NVMFS6D1N08HT1G
  • STP9N80K5

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC