IPD025N06NATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 7533  
说明:
 MOSFET MV POWER MOS
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IPD025N06NATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPD025N06N IPD025N06NXT
典型关闭延迟时间:34 ns
上升时间:20 ns
功率耗散:167 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:71 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :160 S / 80 S
下降时间:12 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.5 mOhms
漏极连续电流:90 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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