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IPB80N03S4L02

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263
数量：
 5949  
说明：
 MOSFET
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IPB80N03S4L02 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：62 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：9 ns
功率耗散：136 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.4 m Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPB80N03S4L02的详细信息，包括IPB80N03S4L02厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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